米兰·(milan)中国官方网站-韩厂重心转向HBM放缓NAND迭代，铠侠闪迪借机扩产抢占AI存储市场

当前全世界存储市场格式连续分解，韩国两年夜存储巨头聚焦1c DRAM与HBM产能扩张，放缓新一代NAND闪存迭代节拍，为铠侠、闪迪同盟创造了名贵的市场窗口期。

据Global Economic援引德国科技媒体ComputerBase动静，铠侠与闪迪将年夜幅加码NAND财产结构，依托技能与产能上风抢占AI数据中央存储市场。

数据显示，美日NAND同盟本财年本钱开支将达45亿美元，折合6.75万亿韩元，同比年夜幅增加41%，投资焦点聚焦第十代BiCS架构NAND产物。

据日经披露，铠侠规划2026年于日本岩手县北上工场实现新一代NAND量产，产物架构从第八代218层进级至332层，将复用去年9月投产的K2产线落地产能，有用盘活现有产线资源。

本轮扩产的焦点驱动力来自AI财产布局性需求进级。跟着AI财产从基础举措措施练习设置装备摆设阶段，转向年夜范围推理部署阶段，市场对于高机能、年夜容量存储产物需求连续爬升。各年夜云办事商数据中央本钱开撑持续向存储范畴歪斜，单GPU配套SSD容量同比翻倍增加，新一代AI办事器单GPU遍及搭载数十TB存储空间，连续拉动高端NAND需求扩容。

据ZDNet报导，铠侠将第十代BiCS NAND量产定为2026财年焦点方针。该产物相较218层前代产物，单元面积压储密度晋升59%，数据传输速率晋升33%。其焦点技能上风于在以更少重叠层数实现超高存储密度，不仅简化垂直蚀刻工艺、削减高端装备损耗，还有能有用降低晶圆翘曲不良率，年夜幅优化出产成本。数据显示，其QLC架构密度可达37.6Gb/妹妹²，机能优在三星计划中的430层V10架构产物。

与美日企业踊跃扩产形成光鲜对于比的是，韩系存储厂商周全放缓NAND迭代节拍。TrendForce数据显示，2026年全世界主流NAND厂商基本无新增产能投放。三星将第十代430层NAND量产规划延后至2027年以后，今朝还没有敲定装备采购定单。

业内阐发认为，若铠侠与闪迪连续优化成本、加快企业级QLC SSD普和，有望进一步抢占AI数据中央存储份额。而三星、SK海力士依附成熟的第九代产物良率与安定的政企客户资源，依旧具有强劲市场竞争力，全世界NAND财产竞争格式将迎来新一轮重塑。

-米兰·(milan)中国官方网站-