米兰·(milan)中国官方网站-消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026年5月25日，据韩媒ETNews报导，三星电子公布使用单位多层键合（CMB） 技能，乐成研发全世界首个900层超高重叠3D NAND闪存原型，并已经验证存储单位正常事情特征，标记着三星于高端存储技能范畴实现跨代式领先。

传统3D NAND采用单次持续刻蚀重叠工艺，受晶圆翘曲、层间瞄准偏差等物理限定，难以冲破500层门坎。三星立异的CMB技能，先自力制造两片450层3D NAND晶圆，再经由过程高精度键合工艺合二为一，直接将重叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。

为保障原型良率与不变性，三星同步霸占多项要害技能：采用上部卡盘（Upper Chuck） 设计解决高层重叠晶圆翘曲问题；经由过程新型套刻校订技能将键合瞄准偏差节制于纳米级；优化位线（BL）与字线（WL）布局，于晋升存储密度的同时，降低芯片功耗与尺寸。

从市场格式看，当前量产市场最高层数为SK海力士的321层4D NAND，三星规划2026年下半年量产400层以上第十代V-NAND（V10）。这次900层原型的落地，使三星于研发轫与竞品拉开显著差距，为AI办事器、数据中央SSD和高端智能手机等高密存储需求场景奠基技能基础。

业内阐发指出，900层3D NAND可于不异芯片尺寸下实现近3倍在当前主流产物的存储容量，同时能效比年夜幅晋升，能有用降低AI数据中央的机柜空间与电力成本。三星明确提出2030年实现1000层NAND的持久方针，CMB技能将成为其告竣方针的焦点路径。

今朝该产物仍处在试验室原型阶段，还没有宣布详细量产时间表。但这一冲破已经重塑全世界闪存技能竞争格式，三星依附“量产+研发”双线并进计谋，进一步巩固于高端存储市场的主导职位地方，同时为应答全世界存储厂商的技能追逐修筑高壁垒。

-米兰·(milan)中国官方网站-