米兰·(milan)中国官方网站-SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

·于HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径·热阻降低30%以上，确保产物于高温、高负载情况下的不变运行特征·采用经市场充实验证的MR-MUF，以高度设计兼容性，降低客户导入门坎

2026年5月26日，SK海力士公布，公司发布“iHBM”技能。该技能经由过程于HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产物运行时的发烧量。

陪同AI算力需求连续激增，HBM不停经由过程增长重叠层数、晋升运行速率来实现机能的迭代进级，同时也带来发烧量爬升的难题。是以，有用节制毗连HBM与GPU的D2D PHY*区域的功率密度**，正成为下一代HBM技能竞争力的焦点。

iHBM技能的特色于在从布局层面底子性解决上述散热难题。传统HBM依靠热量经由焦点芯片（Core Die）向别传导的间接散热方式。iHBM的焦点于在，直接于热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产物于高温、高负载情况下的不变运行特征。

该技能于量产可行性方面也具有显著上风。产物采用经市场充实验证的进步前辈MR-MUF*晶圆级封装（WLP**）工艺，可实现不变范围化量产。此外，该技能与客户现有体系级封装（SiP淫乱）情况具有高度设计兼容性，客户无需举行年夜范围设计改动，便可直接部署，从而有用降低了现实导入门坎。

SK海力士规划将iHBM技能运用在HBM5等下一代产物，以满意高机能计较（HPC）、AI数据中央等超高度集成、高带宽运用场景的严苛散热管控需求，进一步晋升总体体系的不变性与运行效率。

SK海力士封装开发担任李康旭副社长暗示：“iHBM联合存储器设计与进步前辈封装技能，是实现产物最低发烧的最优方案。公司前瞻结构，连续提供AI情况下客户所需的焦点价值，进一步巩固自身于面向AI的存储器范畴的带领职位地方。”

* ICE（Integrated Cooling Elements）：使用绝缘、高导热性的硅基质料，于HBM封装内部分外构建散热路径的冷却元件

* D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：实现HBM基础芯片与AI高速芯片之间超高速数据传输的物理互联通道

** 功率密度（Power Density）：指单元面积孕育发生的热量数值，是决议装备或者体系的散热效率与利用寿命的焦点指标

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）: 于重叠半导体芯片后，为了掩护芯片间的电路，于此中填充液体掩护质料，使其固化的工艺

** 晶圆级封装（WLP, Wafer-Level Package）：于切割晶圆前，一次性举行封装与测试晶圆的技能，可显著削减芯片尺寸并晋升电气特征

淫乱 体系级封装（SiP，System in Package）：将具备差别功效的多类芯片垂直或者横向集成在单一封装体内，实现一体化协同运作的封装技能

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