米兰·(milan)中国官方网站-英特尔联合力积电推进ZAM技术，新型高带宽内存瞄准2029年量产

英特尔与软银旗下SAIMEMORY互助研发的Z-Angle Memory（ZAM）技能连续激发业界高度存眷。于6月行将举办的2026年超年夜范围集成电路钻研会（VLSI Symposium）前夜，这项技能再曝新进展——中国台湾力积电（PSMC）正式插手互助阵营，三方将结合展示新一代高带宽3D内存架构，为AI与高机能计较（HPC）场景提供低功耗、高带宽的存储解决方案。

按照VLSI官方集会列表泄露的预发布择要，力积电将与英特尔、SAIMEMORY同台演讲，重点先容“Via-in-One TSV”（一体化硅通孔）架构怎样年夜幅降低定制DRAM晶圆重叠历程中的数据传输功耗。该架构机能指标亮眼，可实现约0.25Tb/s/妹妹²的超高内存带宽，同时将数据传输功耗节制于0.35W/妹妹²如下，完善适配AI练习、HPC等对于带宽与能效比要求严苛的事情负载。

此前TechPowerUp报导已经披露，基在ZAM技能的HB3DM内存具有显著带宽上风。数据显示，于171妹妹²芯单方面积上构建10GB模块，HB3DM单模块带宽可达5.3TB/s，而当前主流HBM4单重叠带宽仅约2TB/s，前者带宽实现翻倍晋升。

技能细节方面，英特尔、SAIMEMORY与力积电将推出多晶圆后通孔工艺，撑持熔融键合晶圆集成，焦点采用“一体化硅通孔”布局，于9层定制DRAM晶圆重叠中，将数据挪动能耗降至0.7pJ/bit如下。每一层内存采用约3μm超薄硅基底，降低硅通孔（TSV）电阻；搭配尺寸10×85μm²、间距20μm的氧化层沟槽TSV，每一层集成约13700个TSV，显著晋升高速传输时的旌旗灯号完备性。为保障互联质量，团队选用O型设计，接触电阻较C型设计降低40%。今朝，9层DRAM重叠已经于0.95V-1.2V电压下完乐成能验证与靠得住性测试，技能不变性获得确认。

互助分工上，据《经济日报新闻》报导，SAIMEMORY卖力技能设计与常识产权治理，英特尔输出3D重叠与内存架构经验，力积电与日本新科电子（Shinko Electric Industries）提供试产与制造撑持。项目规划2027年完成原型开发，2029年实现贸易化量产，有望成为HBM以外的主要高端内存选项，减缓AI财产高速增加下的内存机能瓶颈与供给压力。

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